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QV6012LH5TP

更新时间： 2023-12-06 20:12:48
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 可控硅
页数 文件大小 规格书
7页 405K
描述
这款12A高温交变三端双向可控硅采用TO-220AB、TO-220隔离型和TO-263封装，具备150°C最高结温和153A ITSM（60Hz）。 该系列产品有助于为交流电源控制应用简化热管理

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Thyristors Datasheet  
QVxx12xHx Series  
12 A High Temperature Alternistor Triacs  
Maximum Ratings — AlternistorTriac (3 Quadrants)  
Symbol  
Characteristic  
Conditions  
Value  
Unit  
QVxx12LHy  
QVxx12RHy / QVxx12NHy  
TC = 120 °C  
TC = 135 °C  
IT(RMS)  
Rms On-State Current (Full Sine Wave)  
12  
A
f = 50 Hz, t = 20 ms  
140  
Non-Repetitive Surge Peak On-State Current  
(Full Cycle, Tj Initial = 25°C)  
ITSM  
A
f = 60 Hz, t = 16.7 ms  
153  
I2t  
di/dt  
IGTM  
PG(AV)  
Tstg  
I2t Value For Fusing  
Critical Rate Of Rise Of On-State Current  
Peak GateTrigger Current  
tp = 8.3 ms  
97  
100  
A2s  
A/μs  
A
f = 60 Hz, TJ = 150 °C  
tp ≤ 10 μs, IGT ≤ IGTM, TJ = 150°C  
4
Average Gate Power Dissipation  
StorageTemperature Range  
TJ = 150 °C  
0.5  
W
-
-40 to 150  
-40 to 150  
VDSM/VRSM + 100  
ºC  
TVJ  
Operating JunctionTemperature Range  
Non Repetitive Surge Peak Off-State Voltage  
-
ºC  
V
DSM/VRSM  
pulse width = 100 μs; VDRM = 600 V  
V
xx = voltage/10; y = sensitivity  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Unit  
QVxx12RHy / QVxx12NHy  
QVxx12LHy  
0.9  
RthJC  
Thermal Resistance, Junction-To-Case (AC)  
K/W  
1.85  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C, unless otherwise specified) — AlternistorTriac (3 Quadrants)  
QVxx12xH4  
QVxx12xH5  
Symbol  
Description  
Conditions  
Unit  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Typ  
Max  
IGT  
VGT  
VGD  
IH  
DC GateTrigger Current  
DC GateTrigger Voltage  
Gate Non-trigger Voltage  
Holding Current  
I – II – III  
I – II – III  
-
-
-
-
35  
-
-
-
50  
mA  
V
VD = 12V RL = 60Ω  
1.2  
-
1.2  
VD = VDRM RL = 3.3kΩ TJ = 150°C  
IT = 100mA  
I – II – III 0.15  
-
-
0.15  
-
-
V
-
-
50  
-
-
50  
mA  
VD = VDRM Gate OpenTJ = 150°C  
VD = 2/3 VDRM Gate OpenTJ = 150°C  
(di/dt)c = 8.6 A/ms TJ = 150°C  
500  
1000  
50  
-
-
-
-
-
-
-
750  
-
-
-
-
-
-
-
Critical Rate-of-rise of  
Off-stage Voltage  
dv/dt  
V/μs  
V/μs  
-
1000  
-
(dv/dt)c  
-
-
50  
-
I
-
-
-
1
2
7
-
-
-
1
2
10  
tgt  
Turn-onTime  
IG = 2 x IGT PW = 15μs IT = 22.6 A(pk)  
II  
μs  
III  
xx = voltage/10;  
x = sensitivity  
Static Characteristics  
Conditions  
Symbol  
Description  
MaximumValue  
Unit  
VTM  
Peak On-state Voltage  
IT = 17A tp = 380μs  
1.60  
5
V
VD = VDRM/VRRM, TJ = 25 °C  
μA  
mA  
V
IDRM / IRRM  
Off-state Current, Peak Repetitive  
VD = VDRM/VRRM, TJ = 150 °C, VDRM = 600 V  
4
VT0  
RD  
Threshold Voltage  
TJ = 150°C  
TJ = 150°C  
0.85  
23  
Dynamic Resistance  
mΩ  
© 2023 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
2
Revised: TK.08/01/23  
1234567

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