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QS72211-35JR

更新时间: 2024-01-09 00:31:54
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
20页 1155K
描述
512X9 OTHER FIFO, PQCC32

QS72211-35JR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最长访问时间:20 ns最大时钟频率 (fCLK):28.6 MHz
周期时间:35 nsJESD-30 代码:R-PQCC-J32
JESD-609代码:e0内存密度:4608 bit
内存集成电路类型:OTHER FIFO内存宽度:9
功能数量:1端子数量:32
字数:512 words字数代码:512
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512X9
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.005 A
子类别:FIFOs最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

QS72211-35JR 数据手册

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