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QJ8006LH4TP

更新时间： 2023-12-06 20:12:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关电机继电器可控硅
页数 文件大小 规格书
11页 621K
描述
这款6安培高温交变三端双向可控硅固态开关系列旨在用于交流开关和相位控制应用，例如电机转速和温度调节控制、照明控制和静态开关继电器等。 灵敏 型元件可确保数字控制电路所需的第一和第四象限的门极控制。

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QJ8006LH4TP 数据手册

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Thyristors Datasheet  
LJxx06xx & QJxx06xHx & QJxx06xx Series  
6 Amp High Temp Sensitive, Standard & Alternistor (High Communication) Triacs  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C, unless otherwise specified) — SensitiveTriac (4 Quadrants)  
Value  
Symbol  
Test Conditions  
Quadrant  
Unit  
LJxx06x8  
I – II – III  
IV  
10  
20  
IGT  
MAX.  
mA  
VD = 12V RL = 60 Ω  
VGT  
VGD  
IH  
ALL  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
1.2  
0.15  
25  
80  
50  
2
V
V
VD = VDRM RL = 3.3 kΩ TJ = 150°C  
IT = 100mA  
ALL  
mA  
400V  
600V  
dv/dt  
VD = VDRM Gate Open TJ = 150°C  
TYP.  
V/μs  
(dv/dt)c  
(di/dt)c = 3.2 A/ms TJ = 150°C  
IG = 2 x IGT PW = 15µs IT = 8.5 A(pk)  
TYP.  
TYP.  
V/μs  
μs  
tgt  
12  
Note: xx=voltage/10, x = package  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C, unless otherwise specified) — AlternistorTriac (3 Quadrants)  
Value  
Symbol  
Test Conditions  
Quadrant  
Unit  
QJxx06xH2  
QJxx06xH3  
QJxx06xH4  
IGT  
VGT  
VGD  
IH  
I – II – III  
I – II – III  
I – II – III  
MAX.  
10  
20  
1.3  
0.15  
30  
35  
mA  
V
VD = 12V RL = 60 Ω  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
VD = VDRM RL = 3.3 kΩ TJ = 150°C  
IT = 100mA  
V
25  
150  
100  
-
35  
350  
250  
450  
20  
mA  
400V  
600V  
800V  
250  
200  
-
dv/dt  
VD = VDRM Gate Open TJ = 150°C  
(di/dt)c = 3.2 A/ms TJ = 150°C  
QJxx06xHy  
MIN.  
V/μs  
(dv/dt)c  
MIN.  
TYP.  
15  
10  
18  
V/μs  
μs  
tgt  
IG = 2 x IGT PW = 15µs IT = 8.5 A(pk)  
10  
10  
Note: xx=voltage/10, x = package  
Electrical Characteristics (TJ=25°C,unless otherwise specified) - StandardTriac  
Value  
Symbol  
Test Conditions  
Quadrant  
Unit  
QJxx06x5  
I – II – III  
IV  
ALL  
MAX.  
TYP.  
MAX.  
50  
75  
1.3  
IGT  
mA  
VD = 12V RL = 60 Ω  
VGT  
V
V
VGD  
IH  
VD = VDRM RL = 3.3 kΩ TJ = 150°C  
Initial IT = 100mA  
ALL  
MIN.  
MAX.  
MIN.  
MIN.  
TYP.  
0.2  
50  
mA  
V/μs  
V/μs  
μs  
dv/dt  
(dv/dt)c  
tgt  
VD = VDRM Gate Open TJ = 150°C  
(di/dt)c = 3.2 A/ms TJ = 150°C  
IG = 2 x IGT PW = 15µs IT = 8.5 A(pk)  
800V  
1000  
4
3
Note: xx=voltage/10, x = package  
© 2022 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
Revised: TK.06/22/22  
3
1234567...11

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