QEB363

更新时间： 2024-01-07 18:21:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		红外LED 光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
4页	122K
描述
SUBMINIATURE PLASTIC INFRARED EMITTING DIODE

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QEB363 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.05 A
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
峰值波长：	940 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1.9 mm	Base Number Matches：	1

QEB363 数据手册

QEB363

SUBMINIATURE PLASTIC INFRARED

EMITTING DIODE

PACKAGE DIMENSIONS

CATHODE

0.276 (7.0)

MIN

0.087 (2.2)

0.071 (1.8)

0.024 (0.6)

0.016 (0.4)

0.019 (0.5)

0.012 (0.3)

FEATURES

0.074 (1.9)

• T-3/4 (2mm) Surface Mount Package

• Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)

• Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend

• Narrow Emission Angle, 24°

.059 (1.5)

.051 (1.3)

.118 (3.0)

.102 (2.6)

0.055 (1.4)

0.008 (0.21)

0.004 (0.11)

• Wavelength = 940 nm, GaAs

SCHEMATIC

0.024 (0.6)

0.106 (2.7)

0.091 (2.3)

• Pink Tinted Lens

• Matched Photosensor: QSB363

• High Radiant Intensity

ANODE

NOTES:

1. Dimensions are in inches (mm).

2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions

unless otherwise specified.

CATHODE

NOTES

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

1. Derate power dissipation linearly

1.33 mW/°C above 25°C.

2. RMA flux is recommended.

3. Methanol or isopropyl alcohols

are recommended as cleaning

agents.

Parameter

Operating Temperature

Symbol

T_OPR

T_STG

T_SOL-I

T_SOL-F

I_F

Rating

-40 to +100

240 for 5 sec

260 for 10 sec

Units

°C

Storage Temperature

Soldering Temperature (Iron)^(2,3,4)

Soldering Temperature (Flow)^(2,3)

Continuous Forward Current

Reverse Voltage

°C

4. Soldering iron tip at 1/16” (1.6mm)

from housing

V_R

Power Dissipation⁽¹⁾

P_D

100

(TA =25°C)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

I_F= 100 mA

SYMBOL

MIN.

TYP.

940

±12

—

MAX.

—

UNITS

Peak Emission Wavelength

Emission Angle

Forward Voltage

Reverse Current

Radiant Intensity

Rise Time

—

I_F= 100 mA

V_F

I_R

—

Deg.

I_F= 100 mA, t_P= 20 ms

V_R= 5 V

1.6

100

—

µA

I_F= 100 mA, t_P= 20 ms

I_F= 100 mA,

—

mW/sr

µs

t_r

—

Fall Time

t_P= 20 ms

t_f

—

µs

1 of 4

100007C

12 3 4

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QEB363 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
QEB363ZR	ONSEMI	功能相似	超小型塑料红外发光二极管
QEB363	ONSEMI	功能相似	超小型塑料红外发光二极管
QEB363.ZR	QT	功能相似	Infrared LED, 1.9mm, 1-Element, 940nm,

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
QEB363.YR	QT	获取价格	Infrared LED, 1.9mm, 1-Element, 940nm,
QEB363.ZR	QT	获取价格	Infrared LED, 1.9mm, 1-Element, 940nm,
QEB363_06	FAIRCHILD	获取价格	Subminiature Plastic Infrared Emitting Diode
QEB363GR	ONSEMI	获取价格	超小型塑料红外发光二极管
QEB363GR	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
QEB363YR	FAIRCHILD	获取价格	Infrared LED, 2mm, 1-Element, 940nm
QEB363YR	ONSEMI	获取价格	超小型塑料红外发光二极管
QEB363ZR	FAIRCHILD	获取价格	Infrared LED, 2mm, 1-Element, 940nm
QEB363ZR	ONSEMI	获取价格	超小型塑料红外发光二极管
QEB363ZR	QT	获取价格	Infrared LED, 1.9mm, 1-Element, 940nm,

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