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Q67100-Q756

更新时间: 2024-09-28 22:25:43
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
24页 126K
描述
1M x 4-Bit Dynamic RAM

Q67100-Q756 数据手册

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1M × 4-Bit Dynamic RAM  
HYB 514400BJ-50/-60  
Advanced Information  
• 1 048 576 words by 4-bit organization  
• 0 to 70 °C operating temperature  
• Fast Page Mode Operation  
• Performance:  
-50  
50  
13  
25  
95  
35  
-60  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS access time  
60 ns  
15 ns  
30 ns  
110 ns  
40 ns  
CAS access time  
Access time from address  
Read/Write cycle time  
Fast page mode cycle time  
tRC  
tPC  
• Single + 5 V (± 10 %) supply with a built-in VBB generator  
• Low power dissipation  
max. 660 mW active (-50 version)  
max. 605 mW active (-60 version)  
• Standby power dissipation:  
11 mW max. standby (TTL)  
5.5 mW max. standby (CMOS)  
• Output unlatched at cycle end allows two-dimensional chip selection  
• Read, write, read-modify write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh,  
hidden refresh and test mode capability  
• All inputs and outputs TTL-compatible  
• 1024 refresh cycles / 16 ms  
• Plastic Packages: P-SOJ-26/20-2 with 300 mil width  
Semiconductor Group  
1
1998-10-01  

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