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PT800A_13

更新时间： 2024-02-03 17:17:16

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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描述
Silicon Rectifier Diodes . Single Diode

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PT800A_13 数据手册

PT800A ... PT800M

Version 2013-05-07

PT800A ... PT800M

Silicon Rectifier Diodes – Single Diode

Silizium-Gleichrichterdioden – Einzeldiode

Nominal current

Nennstrom

8 A

50...1000 V

TO-220AC

1.8 g

10.1^±0.3

1.2^±0.2

Ø 3.8^±0.2

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

4.5^±0.2

Type

Typ

Plastic case

Kunststoffgehäuse

2.67^±0.2

0.42^±0.1

Weight approx.

Gewicht ca.

1.3^±0.1

0.8^±0.2

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

5.08^±0.1

Standard packaging in tubes

Standard Lieferform in Stangen

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

Forward voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V] ¹)

I_F= 5 A

< 1.0

I_F= 8 A

< 1.1

PT800A

PT800B

PT800D

PT800G

PT800J

PT800K

PT800M

100

200

400

600

800

1000

100

200

400

600

800

1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_C= 100°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

8 A

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

30 A ²)

135/150 A

90 A²s

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+175°C

T_j

T_S

T_j= 25°C

Max. temperature of the case T_C= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T_C= 100°C

http://www.diotec.com/

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