LGE (鲁光) 更新时间:2025-04-29 20:47:39
鲁光电子科技有限公司(简称 LGE)成立于2002年9月,致力于功率半导体电子元器件研发、生产、销售的国家高新技术企业,公司研发团队主要来自台湾、美国硅谷及內地顶尖技术精英,公司总部坐落于中国深圳。公司生产的TVS ,ZENER,SCHOTTKY,RECTIFIERS、FRED,TRANSISTOR、MOS、IGBT等半导体器件,广泛应用在汽车电子,消费类电子,智能制造,安防,工控,电动工具、新能源、船机等诸多领域,公司经过20年的沉淀,在国内外享有极高的知名度,合作伙伴遍布全球100多个国家和地区。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
RB160M-40 | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):550mV@1 | ||
10MQ100N | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):2.1A;正向压降(Vf):850m | ||
1N5399 | LGE | 获取价格 | ![]() |
平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;最大反向电流(Ir) | ||
RB060L-40 | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SMA; | ||
GBU810 | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:GBU; | ||
GBU2010 | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:GBU; | ||
MBR10100CTP | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):850mV | ||
GBU610 | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:GBU; | ||
DL4762A | LGE | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | 稳压精度:±5%;最大耗散功率(PD):1W;反向电流(Ir):5μA@62.2V;额定稳 | |
1N4148WT | LGE | 获取价格 | ![]() |
工作温度:+150℃@(Tj);平均整流电流(Io):125mA;反向恢复时间(trr): | ||
SS36C | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):750mV@3 | ||
BYS10-45 | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):45V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):500mV | ||
BZX85B82V | LGE | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | 稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.3W;反向电流(Ir):500nA@62V;额 | |
BZX85B47V | LGE | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | 稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.3W;反向电流(Ir):500nA@36V;额 | |
BZX85B18V | LGE | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | 稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.3W;反向电流(Ir):500nA@13V;额 | |
BZX85B39 | LGE | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | 稳压精度:±2%;最大耗散功率(PD):1.3W;反向电流(Ir):500nA@30V;额 | |
SS36L | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SMA; | ||
SD15S50SL | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):50V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):510mV@ | ||
KBP307 | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:KBP; | ||
ES3M | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SMB; | ||
RS3JC | LGE | 获取价格 | ![]() |
工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):3 | ||
ES2M | LGE | 获取价格 | ![]() |
工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):2 | ||
10BQ100 | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SMB; | ||
RS1MF | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:SMAF; | ||
SS510L | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):100V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):720mV@ | ||
SS56L | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):60V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):520mV@5 | ||
SS54L | LGE | 获取价格 | ![]() |
反向峰值电压(Vr):40V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):450mV@5 | ||
F2MF | LGE | 获取价格 | ![]() |
工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):2 | ||
GBU808 | LGE | 获取价格 | ![]() |
元器件封装:GBU; | ||
ES3DC | LGE | 获取价格 | ![]() |
工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);最小工作结温:-55℃;平均整流电流(Io):3 |
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