HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 更新时间:2023-12-19 23:10:35
Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工). 海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
HY57V281620ALT-HI | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM | ||
HY57V281620A | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM | ||
HY27SS16561M | HYNIX | 获取价格 | 闪存 | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash | ||
HY27SS08561M | HYNIX | 获取价格 | 闪存 | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash | ||
HY62U8400ALLT2-I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 512Kx8bit CMOS SRAM | ||
HY62U8400ALLT2-E | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 512Kx8bit CMOS SRAM | ||
HY62U8400ALLT2 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 512Kx8bit CMOS SRAM | ||
HY62U8400ALLR2-I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 512Kx8bit CMOS SRAM | ||
HY62U8400ALLR2-E | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 512Kx8bit CMOS SRAM | ||
GM76V256CLT | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM | ||
GM76V256CE | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM | ||
GM76V256C | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | 32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM | ||
HMS77C1001A | HYNIX | 获取价格 | 微控制器 | 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS | ||
HMS77C1000A | HYNIX | 获取价格 | 微控制器 | 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS | ||
GMS77C1001 | HYNIX | 获取价格 | 微控制器 | 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS | ||
GMS77C1000 | HYNIX | 获取价格 | 微控制器 | 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS | ||
HY62UF08401C-SS(I) | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM | ||
HY62UF08401C-I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM | ||
HY62UF08401C-DS(I) | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM | ||
HY62UF08401C | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | High Speed, Super Low Power and 4Mbit Full CMOS SRAM | ||
HY57V283220(L)T(P)-8 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V283220(L)T(P)-7 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V283220(L)T(P)-6 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V283220(L)T(P)-55 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V283220(L)T(P)-5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V161610ET-10I | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V161610ET-10 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V161610E | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | ||
GM72V66841ET-7K | HYNIX | 获取价格 | 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | ||
GM72V66841ET-7 | HYNIX | 获取价格 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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