FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间:2022-04-10 03:41:04
富士电机自1923年成立以来,在这100年的漫长历史中,不断革新能源和环境技术,在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久,可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。 如今的国际社会中,在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时,我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模,每年保持快速增长的中国,也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。 富士电机(中国)依托创业以来积累的技术和经验,追求电力、热能技术的革新,通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品,为中国社会的发展贡献自身的力量。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
2SK2657-01MR | FUJI | 获取价格 | ![]() |
Transistor | ||
2MBI100NB-060 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网栅晶体管 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, | |
7MBR25VY120-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网栅功率控制晶体管 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PAC | |
2MBI150VH-170-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
栅 | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
7MBP50VFN120-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
驱动接口集成电路 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver | |
2SK3886-01MR | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 120V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
KP926S2 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
快速恢复二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 5A, 200V V(RRM), Silicon, K-PACK(P) | |
7MBR50VKD060-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
栅 | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
ESAD25M-02D | FUJI | 获取价格 | ![]() |
高压快速恢复二极管局域网 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, FULL PACK-3 | |
CS2073L240-20 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
AC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, Hybrid | ||
CS2073L240+20 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
AC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, Hybrid | ||
CS2073L120-20 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
AC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, Hybrid | ||
CS2073L120-16 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
AC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, Hybrid | ||
CS2073L120+16 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
AC-DC Unregulated Power Supply Module, 1 Output, Hybrid | ||
2MBI225VN-120S-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
栅 | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
FMA19N60E | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.365ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
YG803C06 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网二极管 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220F, 3 PIN | |
ESJA98-08 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.008A, 8000V V(RRM), Silicon | |
7MBR50VY060-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网栅功率控制晶体管 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACK | |
ESJC34-08 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.35A, 8000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
EQA03-14AB | FUJI | 获取价格 | ![]() |
测试二极管 | Zener Diode, 14.5V V(Z), 4%, 0.4W | |
IFI250B-060 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
快速恢复二极管局域网 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250A, 600V V(RRM), Silicon, | |
7MBR75VB060-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
栅 | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
ERP04-25 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 2500V V(RRM), Silicon, | |
ERP04-30 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 950A, 3000V V(RRM), Silicon, | |
FMY50N30ES | FUJI | 获取价格 | ![]() |
Power Field-Effect Transistor | ||
SIG01-09 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 900V V(RRM), Silicon, | |
DC211C4 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, Hybrid | ||
ET403MR | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网开关晶体管 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast | |
ERA37-10 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1000V V(RRM), Silicon, ULTRA SMALL PACKAGE-2 |
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