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FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间：2021-12-29 19:46:21

富士电机自1923年成立以来，在这100年的漫长历史中，不断革新能源和环境技术，在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久，可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。如今的国际社会中，在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时，我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模，每年保持快速增长的中国，也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。富士电机（中国）依托创业以来积累的技术和经验，追求电力、热能技术的革新，通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品，为中国社会的发展贡献自身的力量。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

FCN-364J024-AU	FUJI	获取价格			RECTANGULAR CONNECTORS

FCN-364J016-AU	FUJI	获取价格			RECTANGULAR CONNECTORS

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7MBR35VKD120-50	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor

6MBI125S-120	FUJI	获取价格		局域网栅晶体管	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

ERE51-09	FUJI	获取价格		二极管	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 900V V(RRM), Silicon,

FMH13N60S1	FUJI	获取价格			Power Field-Effect Transistor

FA3616E	FUJI	获取价格		开关光电二极管	Switching Controller, 500kHz Switching Freq-Max, PDSO16, SSOP-16

7MBR25VKB120-50	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor

ESAD83M-004R	FUJI	获取价格		局域网二极管	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 40V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

7MBR8LB120	FUJI	获取价格		局域网栅晶体管	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

FMP80N10T2	FUJI	获取价格		局域网开关脉冲晶体管	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

ERD27-10	FUJI	获取价格		快速恢复能力电源快速恢复二极管	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon,

1MBI1000VXB-170EL-54	FUJI	获取价格		局域网栅功率控制晶体管	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12

1MBI1000VXB-170EH-50	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor

7MBP100VDN120-50	FUJI	获取价格		驱动接口集成电路	Buffer/Inverter Based Peripheral Driver

1MBI300SH-140	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 1400V V(BR)CES,

FA3629V	FUJI	获取价格		开关光电二极管	Switching Controller, 1000kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDSO16, TSSOP-16

7MBR100VZ120-50	FUJI	获取价格		局域网栅功率控制晶体管	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PA

ERC37-10	FUJI	获取价格		快速恢复二极管	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

1MBA10-090	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor