HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 更新时间:2023-12-19 22:55:10
Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工). 海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
GM72V66841ELT-75 | HYNIX | 获取价格 | 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | ||
GM72V66841ELT-7 | HYNIX | 获取价格 | 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | ||
GM72V66841ELT-10K | HYNIX | 获取价格 | 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | ||
HY5DS283222BFP-4 | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟 | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM | ||
HY5DS283222BFP-36 | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟 | 128M(4Mx32) GDDR SDRAM | ||
HY57V281620ELT-7 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O | ||
HY57V281620ELT-6 | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O | ||
HY57V281620ELT-5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O | ||
HY57V283220 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V281620ELT | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O | ||
HMS81032TL | HYNIX | 获取价格 | 半导体微控制器 | HYNIX SEMICONDUCTOR 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS | ||
HMS81020TL | HYNIX | 获取价格 | 半导体微控制器和处理器光电二极管 | HYNIX SEMICONDUCTOR 8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS | ||
HY5DU12822CTP-X | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | 512Mb DDR SDRAM | ||
HY5DU12822CTP | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | 512Mb DDR SDRAM | ||
HY5DU12822CLTP-X | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | 512Mb DDR SDRAM | ||
HY27LF081G2M-TCS | HYNIX | 获取价格 | 闪存 | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | ||
HY27LF081G2M-TCP | HYNIX | 获取价格 | 闪存 | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | ||
HY27LF081G2M-TCB | HYNIX | 获取价格 | 闪存 | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory | ||
HY57V161610DTC-15 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V161610DTC-10I | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管ISM频段动态存储器时钟 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V161610DTC-10 | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管ISM频段动态存储器时钟 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V161610D-I | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V64820HGLT-5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V64820HG | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4 Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V561620LT-HP | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V561620LT-H | HYNIX | 获取价格 | 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V561620LT-8 | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟 | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM | ||
HY57V561620 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM | ||
HYMP112S64LMP8-C5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR2 SDRAM SO-DIMM | ||
HYMP112S64LMP8-C4 | HYNIX | 获取价格 | 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 热门型号