ALSC品牌介绍,ALSC产品选型手册大全-捷配DataSheet查询网

您的位置：主页> 品牌列表> ALSC

ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION 更新时间：2023-12-21 03:07:12

Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM：包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造，最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术，几乎没有静态功率消耗。DRAM：包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术：Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、海量存储等领域。

官网地址 >

型号	品牌	价格	文档	应用	描述

AS9C25128M2036L-133BI	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface

AS9C25256M2036L-133BI	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface

AS9C25128M2036L-133BC	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface

AS9C25256M2036L-133BC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	2.5V 256/128K X 36 Synchronous Dual-port SRAM with 3.3V or 2.5V interface

AS7C25512NTF36A-10TQI	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	2.5V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C25512FT36A-10TQI	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	2.5V 512K x 32/36 flowthrough burst synchronous SRAM

AS7C331MNTF36A-10TQI	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 1M x 32/36 Flowthrough SRAM with NTD

AS7C331MFT36A-10TQI	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	3.3V 1M x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C251MNTF36A-10TQI	ALSC	获取价格		静态存储器	2.5V 1M x 32/36 Flowthrough SRAM with NTD

AS7C251MFT36A-10TQI	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	2.5V 1M x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C33512NTF36A-10TQCN	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C33512FT36A-10TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	3.3V 512K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C33256NTF36A-10TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	3.3V 256K x 2/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C33256FT36A-10TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 256K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C25512NTF36A-10TQCN	ALSC	获取价格		静态存储器	2.5V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C25512FT36A-10TQCN	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器时钟	2.5V 512K x 32/36 flowthrough burst synchronous SRAM

AS7C331MNTF36A-10TQCN	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 1M x 32/36 Flowthrough SRAM with NTD

AS7C331MFT36A-10TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	3.3V 1M x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C251MNTF36A-10TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	2.5V 1M x 32/36 Flowthrough SRAM with NTD

AS7C251MFT36A-10TQCN	ALSC	获取价格		静态存储器	2.5V 1M x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C33512NTF36A-10TQC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C33512FT36A-10TQC	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器	3.3V 512K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C33256NTF36A-10TQC	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 256K x 2/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C33256FT36A-10TQC	ALSC	获取价格		内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 256K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C25512NTF36A-10TQC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	2.5V 512K x 32/36 Flowthrough Synchronous SRAM with NTD

AS7C25512FT36A-10TQC	ALSC	获取价格		静态存储器	2.5V 512K x 32/36 flowthrough burst synchronous SRAM

AS7C331MNTF36A-10TQC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	3.3V 1M x 32/36 Flowthrough SRAM with NTD

AS7C331MFT36A-10TQC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	3.3V 1M x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C251MNTF36A-10TQC	ALSC	获取价格		静态存储器	2.5V 1M x 32/36 Flowthrough SRAM with NTD

AS7C251MFT36A-10TQC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器	2.5V 1M x 32/36 Flow-through synchronous SRAM