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PIC16LCR83T-10I/SO

更新时间： 2024-01-05 11:04:19

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美国微芯 - MICROCHIP		闪存微控制器和处理器外围集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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18-pin Flash/EEPROM 8-Bit Microcontrollers

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PIC16LCR83T-10I/SO 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	地址总线宽度：
位大小：	8	CPU系列：	PIC
最大时钟频率：	10 MHz	外部数据总线宽度：
JESD-30 代码：	R-PDSO-G18	JESD-609代码：	e0
端子数量：	18	片上程序ROM宽度：	14
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP18,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	2/6 V
认证状态：	Not Qualified	RAM（字节）：	36
ROM（单词）：	512	ROM可编程性：	MROM
速度：	10 MHz	子类别：	Microcontrollers
最大压摆率：	10 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
uPs/uCs/外围集成电路类型：	MICROCONTROLLER, RISC	Base Number Matches：	1

PIC16LCR83T-10I/SO 数据手册

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PIC16F8X

18-pin Flash/EEPROM 8-Bit Microcontrollers

Devices Included in this Data Sheet:

Pin Diagrams

• PIC16F83

• PIC16F84

PDIP, SOIC

•1

RA2

RA3

RA1

• PIC16CR83

• PIC16CR84

• Extended voltage range devices available

(PIC16LF8X, PIC16LCR8X)

RA0

RA4/T0CKI

MCLR

VSS

OSC1/CLKIN

OSC2/CLKOUT

VDD

High Performance RISC CPU Features:

RB0/INT

RB1

RB7

RB6

• Only 35 single word instructions to learn

RB2

RB5

• All instructions single cycle except for program

branches which are two-cycle

RB3

RB4

• Operating speed: DC - 10 MHz clock input

DC - 400 ns instruction cycle

Special Microcontroller Features:

Program

Memory

(words)

Data

RAM

(bytes) (bytes)

Data

EEPROM Freq

Max.

Device

• In-Circuit Serial Programming (ICSP™) - via two

pins (ROM devices support only Data EEPROM

programming)

(MHz)

PIC16F83

PIC16F84

512 Flash

1 K Flash

• Power-on Reset (POR)

PIC16CR83 512 ROM

PIC16CR84 1 K ROM

• Power-up Timer (PWRT)

• Oscillator Start-up Timer (OST)

• 14-bit wide instructions

• 8-bit wide data path

• Watchdog Timer (WDT) with its own on-chip RC

oscillator for reliable operation

• Code-protection

• 15 special function hardware registers

• Eight-level deep hardware stack

• Power saving SLEEP mode

• Selectable oscillator options

• Direct, indirect and relative addressing modes

• Four interrupt sources:

CMOS Flash/EEPROM Technology:

- External RB0/INT pin

- TMR0 timer overﬂow

- PORTB<7:4> interrupt on change

- Data EEPROM write complete

• Low-power, high-speed technology

• Fully static design

• Wide operating voltage range:

- Commercial: 2.0V to 6.0V

• 1000 erase/write cycles Flash program memory

- Industrial:

2.0V to 6.0V

• 10,000,000 erase/write cycles EEPROM data mem-

ory

• Low power consumption:

- < 2 mA typical @ 5V, 4 MHz

- 15 µA typical @ 2V, 32 kHz

- < 1 µA typical standby current @ 2V

• EEPROM Data Retention > 40 years

Peripheral Features:

• 13 I/O pins with individual direction control

• High current sink/source for direct LED drive

- 25 mA sink max. per pin

- 20 mA source max. per pin

• TMR0: 8-bit timer/counter with 8-bit

programmable prescaler

1998 Microchip Technology Inc.

DS30430C-page 1

12 3 4 5 6 7...124

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