5秒后页面跳转
PDM21532LA85TI PDF预览

PDM21532LA85TI

更新时间: 2024-01-17 19:25:09
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44

PDM21532LA85TI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.7 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00085 A最小待机电流:2.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):2.9 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.7 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

PDM21532LA85TI 数据手册

 浏览型号PDM21532LA85TI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PDM21532LA85TI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PDM21532LA85TI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PDM21532LA85TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PDM21532LA85TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PDM21532LA85TI的Datasheet PDF文件第7页 
PRELIMINARY  
PDM21532  
DC Electrical Characteristics (V = 2.7V ± 0.2V)  
CC  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
–1  
Max.  
Unit  
µA  
I
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
V
= Max., V = Vss to V  
1
1
LI  
CC  
IN  
CC  
I
V
= Max.,  
–1  
µA  
LO  
CC  
CE = V , V  
= Vss to V  
CC  
IH OUT  
(1)  
V
V
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
–0.3  
2.2  
0.4  
V
V
IL  
Vcc +  
0.3  
IH  
V
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
I
I
= 2.1mA, V = Min.  
0.4  
V
V
OL  
OL  
CC  
V
= –1.0 mA, V = Min.  
2.2  
OH  
OH  
CC  
NOTE: 1.V (min) = –0.3V for pulse width less than 30 ns.  
IL  
Power Supply Characteristics  
-70  
-85  
-100  
Symbol Parameter  
Operating Current  
CE = V  
Com’l Com’l Ind. Com’l Ind. Unit  
I
LA  
55  
45  
50  
40  
45  
mA  
CC  
IL  
f = f  
= 1/t  
MAX  
RC  
V
= Max.  
= 0 mA  
CC  
I
OUT  
I
Full Standby Cur-  
rent  
LA  
800  
800  
850  
750  
800  
µA  
SB1  
CE V – 0.2V  
CC  
f = 0  
V
V
= Max.,  
CC  
V – 0.2V  
IN  
CC  
or 0.2V  
NOTES: All values are maximum guaranteed values.  
4
Rev. 1.0 - 5/01/98  

与PDM21532LA85TI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
PDM-21-6GSQ MERRIMAC 0 DIVIDERS/COMBINERS

获取价格

PDM-21M-.75G MERRIMAC 0 POWER DIVIDERS / COMBINERS

获取价格

PDM-21M-1.5G MERRIMAC 0 POWER DIVIDERS / COMBINERS

获取价格

PDM-21M-10G MERRIMAC 0 POWER DIVIDERS / COMBINERS

获取价格

PDM-21M-10GSQ MERRIMAC Splitter And Combiner, 8000MHz Min, 12400MHz Max, 0.5dB Insertion Loss-Max

获取价格

PDM-21M-15G MERRIMAC 0 POWER DIVIDERS / COMBINERS

获取价格