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PDM21532LA85TI PDF预览

PDM21532LA85TI

更新时间： 2024-01-07 21:37:12
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44

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PDM21532LA85TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：85 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.7 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.00085 A最小待机电流：2.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.9 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

PDM21532LA85TI 数据手册

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PRELIMINARY  
PDM21532  
Operating Mode  
Mode  
CE  
OE  
WE  
LB  
UB  
I/O7-I/O0  
I/O15-I/O8  
Power  
1
2
Read  
L
L
H
L
H
L
L
L
Output  
High Impedance  
Output  
Output  
Output  
I
I
I
I
I
I
I
I
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
H
L
High Impedance  
Input  
Write  
L
X
L
L
Input  
H
L
L
High Impedance  
Input  
Input  
H
x
High Impedance  
High Impedance  
High Impedance  
High Impedance  
Output Disable  
Standby  
L
L
H
X
X
H
X
X
X
H
X
High Impedance  
High Impedance  
High Impedance  
3
H
X
H
I
SB  
NOTE: 1. H = V , L = V , X = DON’T CARE  
IH  
IL  
4
(1)  
Absolute Maximum Ratings  
5
Symbol  
Rating  
Com’l.  
Ind.  
Unit  
V
Terminal Voltage with Respect to V  
Temperature Under Bias  
Storage Temperature  
–0.5 to +4.6  
–55 to +125  
–55 to +125  
0.8  
–0.5 to +4.6  
–65 to +135  
–65 to +150  
0.8  
V
°C  
°C  
W
TERM  
BIAS  
STG  
SS  
T
T
6
P
Power Dissipation  
T
I
DC Output Current  
50  
50  
mA  
°C  
OUT  
(2)  
T
Maximum Junction Temperature  
125  
125  
j
NOTE: 1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the  
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maxi-  
mum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
8
2. Appropriate thermal calculations should be performed in all cases and specifically for  
those where the chosen package has a large thermal resistance (e.g., TSOP). The  
9
calculation should be of the form: T = T + P * θ where T is the ambient tempera-  
j
a
ja  
a
ture, P is average operating power and θ the thermal resistance of the package. For  
ja  
this product, use the following θ values:  
ja  
o
o
SOJ: 59 C/W  
TSOP: 87 C/W  
10  
11  
12  
Recommended DC Operating Conditions  
Symbol  
Description  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
V
Supply Voltage  
2.5  
0
2.7  
0
2.9  
0
V
V
CC  
SS  
Supply Voltage  
Industrial  
Ambient Temperature  
Ambient Temperature  
–40  
0
25  
25  
85  
70  
°C  
°C  
Commercial  
Rev. 1.0 - 5/01/98  
3
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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