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PDM21532LA100SO

更新时间： 2024-01-19 03:39:28

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IXYS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	260K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44

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技术参数
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PDM21532LA100SO 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ44,.44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ44,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00075 A	最小待机电流：	2.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

PDM21532LA100SO 数据手册

PRELIMINARY

PDM21532

Pin Conﬁguration

SOJ

TSOP

I/O0

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

Vss

Vcc

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

Vcc

Vss

I/O4

I/O15

I/O14

I/O1

I/O2

36 I/O13

35 I/O12

I/O3

Vcc

Vss

Vcc

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

Vss

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A15

A14

A13

A12

I/O5 14

I/O6

I/O7

A15

A14

A13

A12

A10

A11

A10

24 A11

Pin Description

Name

Description

A15-A0

I/O15-I/O0

Address Inputs

Data Inputs

Chip Enable Input

Write Enable Input

Output Enable Input

Data Byte Control Inputs

No Connect

LB, UB

Ground

Power (+2.7V)

Capacitance ^{(T = +25°C, f = 1.0 MHz)}

Symbol

Parameter

Conditions

Max.

Unit

Input Capacitance

Output Capacitance

= V

I/O

NOTE: 1. This parameter is determined by device characterization, but is not production tested.

Rev. 1.0 - 5/01/98

123 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDM21532LA85T	IXYS	Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44	获取价格
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