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Datasheet > P6KE12C-T3
P6KE12C-T3 PDF预览

P6KE12C-T3

更新时间： 2024-01-05 14:12:34
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 209K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.72V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15, PLASTIC PACKAGE-2

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P6KE12C-T3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-15
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.5
最大击穿电压：13.2 V最小击穿电压：10.8 V
击穿电压标称值：12 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：17.3 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
最大重复峰值反向电压：9.72 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

P6KE12C-T3 数据手册

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与P6KE12C-T3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P6KE12CTR MICROSEMI

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P6KE12CTRE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.72V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
P6KE12CU11 RECTRON

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 		600 Watt TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
P6KE12-E3/4 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.72V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE12-E3/54 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 9.72V V(RWM), Unidirectional,
P6KE12-E3/73 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.72V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
P6KE12E3/TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.72V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, RO

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