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P4KE6V8

更新时间: 2024-02-18 08:59:39
品牌 Logo 应用领域
东电化 - TDK 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon

P4KE6V8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
最大击穿电压:7.14 V最小击穿电压:6.45 V
击穿电压标称值:6.8 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:10.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大反向电流:1000 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

P4KE6V8 数据手册

 浏览型号P4KE6V8的Datasheet PDF文件第2页 

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