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P4KE200C

更新时间： 2024-09-30 20:27:07

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
5页	34K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 162V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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P4KE200C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：	220 V	最小击穿电压：	180 V
击穿电压标称值：	200 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	287 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	162 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

P4KE200C 数据手册

TVS

P4KE

RECTRON

TECHNICAL SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR

SERIES

GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

400 WATT PEAK POWER 1.0 WATT STEADY STATE

FEATURES

* Plastic package has underwriters laboratory

* Glass passivated chip construction

* 400 watt surage capability at 1ms

* Excellent clamping capability

* Low zener impedance

DO-41

* Fast response time

.034 (0.9)

DIA.

.028 (0.7)

1.0 (25.4)

MIN.

.205 (5.2)

.166 (4.2)

.107 (2.7)

DIA.

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

.080 (2.0)

1.0 (25.4)

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load,

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA suffix for types P4KE6.8 thru P4KE400

Electrical characteristics apply in both direction

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

SYMBOL

VALUE

UNITS

Watts

RATINGS

PPM

Minimum 400

Peak Power Dissipation at T

= 25^o

, T

P = 1mS ( Note 1 )

Steady State Power Dissipation at T

.375” ( 9.5 mm ) ( Note 2 )

= 75^oC lead lengths,

M(AV)

1.0

Watts

Amps

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-

superimposed on rated load( JEDEC METHOD ) ( NoteS 3 )

FSM

Maximum Instantaneous Forward Current at 25A for

unidirectional only ( Note 4 )

3.5/6.5

Volts

⁰C

, TSTG

-55 to + 150

Operating and Storage Temperature Range

2002-12

NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

2. Mounted on 1.6 X 1.6” ( 40 X 40mm ) per Fig. 5

= 25^oC per Fig.2.

3. VF = 3.0V max. for devices of V(BR) < 200V and VF = 6.5 Volts max. for devices of V(BR) > 200V.

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