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P4C164L-35JMLF

更新时间： 2023-08-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 1239K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28

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P4C164L-35JMLF 数据手册

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P4C164 - ULTRA HIGH SPEED 8K x 8 STATIC CMOS RAM  
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE  
(VCC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)(2)  
-8  
-10  
-12  
-15  
-20  
Sym Parameter  
Unit  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Write Cycle Time  
tWC  
tCW  
tAW  
tAS  
8
10  
12  
15  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Enable Time to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Setup Time  
6
7
0
7
0
6
0
7
8
0
8
0
7
0
8
10  
0
12  
12  
0
15  
15  
0
Write Pulse Width  
tWP  
tAH  
tDW  
tDH  
tWZ  
tOW  
9
12  
0
15  
0
Address Hold Time  
0
Data Valid to End of Write  
Data Hold Time  
8
9
11  
0
0
0
Write Enable to Output in High Z  
Output Active from End of Write  
6
7
7
7
8
3
3
3
3
3
-25  
-35  
-45  
-70  
-100  
Sym Parameter  
Unit  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Write Cycle Time  
tWC  
tCW  
tAW  
tAS  
25  
35  
45  
70  
100  
70  
70  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip Enable Time to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Setup Time  
18  
18  
0
25  
25  
0
33  
33  
0
50  
50  
0
Write Pulse Width  
tWP  
tAH  
tDW  
tDH  
tWZ  
tOW  
18  
0
20  
0
25  
0
40  
0
50  
0
Address Hold Time  
Data Valid to End of Write  
Data Hold Time  
13  
0
15  
0
20  
0
30  
0
40  
0
Write Enable to Output in High Z  
Output Active from End of Write  
10  
14  
18  
30  
40  
3
3
3
3
3
Document # SRAM115 REV H  
Page 6  
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与P4C164L-35JMLF相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
P4C164L-35L32ILF PYRAMID Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, LCC-

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P4C164L-35LC PYRAMID Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28

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