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P2187A-25

更新时间: 2024-01-10 15:40:52
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英特尔 - INTEL 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 310K
描述
EDO DRAM, 8KX8, 250ns, NMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

P2187A-25 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
最长访问时间:250 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T28
长度:36.83 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:128
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

P2187A-25 数据手册

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