生命周期: | Transferred | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.24 |
标称电路换相断开时间: | 25 µs | 关态电压最小值的临界上升速率: | 20 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 200 mA | 最大直流栅极触发电压: | 3 V |
最大维持电流: | 600 mA | 最大漏电流: | 30 mA |
通态非重复峰值电流: | 3600 A | 最大通态电压: | 1.83 V |
最大通态电流: | 610000 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 断态重复峰值电压: | 600 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | NO |
触发设备类型: | SCR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P205CH06D2K | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | |
P205CH06DG | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | |
P205CH06DG0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 600V V(DRM) | |
P205CH06DGO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element | |
P205CH06DH | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | |
P205CH06DJ0 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 600V V(DRM), | |
P205CH06E2K | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-200AB | |
P205CH06E2K0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 610000mA I(T), 600V V(DRM) | |
P205CH06E2KO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 600 V, SCR | |
P205CH06EG | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 740 A, 600 V, SCR, TO-200AB |