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P205CH02DHO

更新时间: 2023-02-26 15:57:13
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 740A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element

P205CH02DHO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:200 mA
JESD-30 代码:O-CEDB-N2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:740 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P205CH02DHO 数据手册

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