P1200S_L

更新时间： 2024-01-23 10:41:47

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LCAS Asymmetrical Discrete Device

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P1200S_L 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SIP
包装说明：	IN-LINE, R-XSIP-T12	针数：	12
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.43	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最大断态直流电压：	100 V	JESD-30 代码：	R-XSIP-T12
通态非重复峰值电流：	60 A	元件数量：	4
端子数量：	12	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

P1200S_L 数据手册

LCAS Asymmetrical Discrete Device

t_r= rise time to peak value

t_d= decay time to half value

I_T

Peak

100

Value

I_S

I_H

Waveform = t_rx t_d

I_DRM

-V

Half Value

V_DRM

V_T

V_S

t_r

t_d

t – Time (µs)

-I

V-I Characteristics

t x t Pulse Waveform

r d

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

25 ˚C

-4

-6

-40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

-8

Case Temperature (T_C) – ˚C

-40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

Junction Temperature (T_J) – ˚C

Normalized V Change versus Junction Temperature

Normalized DC Holding Current versus Case Temperature

www.littelfuse.com

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