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P036RH06FGO

更新时间: 2024-02-22 12:53:40
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 127K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

P036RH06FGO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JESD-30 代码:O-MUPM-D2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:100 A
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR

P036RH06FGO 数据手册

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