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P036RH06FJO

更新时间: 2024-02-11 03:59:57
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

P036RH06FJO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mAJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:100 A断态重复峰值电压:600 V
重复峰值反向电压:600 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P036RH06FJO 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
P036RH06FK IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-65

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P036RH06FK0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),100A I(T),TO-208AC

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P036RH06FKO IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR

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P036RH06FL IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR, TO-65

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P036RH06FL0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 600V V(DRM)

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P036RH06FM IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 600V V(DRM)

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