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P036RH06DNO PDF预览

P036RH06DNO

更新时间： 2024-02-15 10:23:10

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

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P036RH06DNO 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	100 mA
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	100 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR

P036RH06DNO 数据手册

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与P036RH06DNO相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P036RH06EG	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR, TO-65	获取价格
P036RH06EG0	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 600V V(DRM)	获取价格
P036RH06EH0	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),100A I(T),TO-208AC	获取价格
P036RH06EJ	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-65	获取价格
P036RH06EJO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element	获取价格
P036RH06EK	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 600 V, SCR, TO-65	获取价格

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