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P036RH02EK

更新时间: 2024-01-04 23:14:19
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-65

P036RH02EK 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.75
其他特性:HIGH RELIABILITY标称电路换相断开时间:20 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:400 mAJEDEC-95代码:TO-65
JESD-30 代码:O-MUPM-H3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:100 A
重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P036RH02EK 数据手册

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