5秒后页面跳转
P036RH02FNO PDF预览

P036RH02FNO

更新时间: 2024-01-17 05:55:14
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element

P036RH02FNO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:100 mAJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:100 A断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P036RH02FNO 数据手册

 浏览型号P036RH02FNO的Datasheet PDF文件第2页 

与P036RH02FNO相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
P036RH04 LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 400V V(DRM),

获取价格

P036RH04CG0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),100A I(T),TO-208AC

获取价格

P036RH04CH0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 400V V(DRM)

获取价格

P036RH04CJ0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),100A I(T),TO-208AC

获取价格

P036RH04CK0 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 400V V(DRM)

获取价格

P036RH04CL IXYS Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-65

获取价格