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P036RH02EK0 PDF预览

P036RH02EK0

更新时间： 2024-01-08 15:02:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	208K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 200V V(DRM)

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P036RH02EK0 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
标称电路换相断开时间：	20 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us
最大直流栅极触发电流：	100 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	400 mA	最大漏电流：	10 mA
通态非重复峰值电流：	600 A	最大通态电流：	100000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-30 °C
断态重复峰值电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

P036RH02EK0 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P036RH02EKO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element	获取价格
P036RH02ELO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR	获取价格
P036RH02EM	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR, TO-65	获取价格
P036RH02EMO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element	获取价格
P036RH02EN	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 200 V, SCR, TO-65	获取价格
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