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P0109DA5AL3

更新时间： 2024-01-20 11:13:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可控硅
页数	文件大小	规格书
11页	125K
描述
Sensitive standard SCRs up to 0.8 A

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P0109DA5AL3 数据手册

P010xx

Characteristics

Table 4.

Symbol

Electrical characteristics⁽¹⁾P010xxA and P010xxN

Test conditions

Value

Unit

Min.

Max.

Min.

Max.

Min.

Max.

200

0.8

0.1

I_GT

µA

V_D= 12 V R_L= 140 Ω

V_GT

V_GD

V_RG

I_H

V_D= V_DRMR_L= 3.3 kΩ R_GK= 1 kΩ

I_RG= 10 µA

T_j= 125 °C

I_T= 50 mA R_GK= 1 kΩ

V/µs

I_L

I_G= 1 mA

R_GK= 1 kΩ

dV/dt

V_TM

V_t0

V_D= 67 % V_DRMR_GK= 1 kΩ

I_TM= 1.6 A tp = 380 µs

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

1.95

0.95

600

Threshold voltage

R_d

Dynamic resistance

mΩ

V_DRM= V_RRM= 400 V R_GK= 1 kΩ

V_DRM= V_RRM= 600 V R_GK= 1 kΩ

T_j= 25 °C

I_DRM

I_RRM

Max.

µA

V_DRM= V_RRM

R_GK= 1 kΩ

T_j= 125 °C

100

1. T = 25 °C, unless otherwise specified

Table 5.

Symbol

Electrical characteristics⁽¹⁾P010xxL

Test conditions

P0102xL

P0109AL

Unit

I_GT

V_GT

V_GD

V_RG

I_H

Max.

200

µA

V_D= 12 V

R_L= 140 Ω

Max.

T_j= 125 °C Min.

Min.

0.8

0.1

V_D= V_DRMR_L= 3.3 kΩ R_GK= 1 kΩ

I_RG= 10 µA

I_T= 50 mA R_GK= 1 kΩ

Max.

V/µs

I_L

I_G= 1 mA

R_GK= 1 kΩ

Max.

dV/dt

V_TM

V_t0

V_D= 67 % V_DRMR_GK= 1 kΩ

I_TM= 0.4 A tp = 380 µs

Threshold voltage

T_j= 125 °C Min.

200

100

T_j= 25 °C

Max.

1.7

1.0

T_j= 125 °C Max.

R_d

Dynamic resistance

1000

mΩ

T_j= 25 °C

Max.

I_DRM

I_RRM

V_DRM= V_RRM

µA

T_j= 125 °C

100

1. T = 25 °C, unless otherwise specified

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