生命周期: | Obsolete | 包装说明: | LD/G2, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE | 最大正向电流: | 0.18 A |
最大正向电压: | 2.7 V | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量: | 1 | 最高工作温度: | 60 °C |
最低工作温度: | -10 °C | 光电设备类型: | LASER DIODE |
标称输出功率: | 50 mW | 峰值波长: | 785 nm |
半导体材料: | GaAlAs | 形状: | ROUND |
尺寸: | 2 mm | 子类别: | Laser Diodes |
表面贴装: | NO | 最大阈值电流: | 70 mA |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HL7852G | OPNEXT | GaAlAs Laser Diode |
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HL7852G | HITACHI | GaA1As Laser Diode |
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HL7853MG | HITACHI | Laser Diode, 785nm |
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HL7859MG | HITACHI | Visible High Power Laser Diode |
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HL7-8R2-JB | RCD | General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, 1 Element, AXIAL LEADED |
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HL7-8R2-JBQ | RCD | General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, 1 Element, AXIAL LEADED |
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