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HL7852G

更新时间： 2024-02-23 17:38:34
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4页 93K
描述
GaAlAs Laser Diode

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HL7852G 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：HEMETIC SEALED, LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最高工作温度：60 °C
最低工作温度：-10 °C光电设备类型：LASER DIODE
标称输出功率：50 mW峰值波长：785 nm
半导体材料：GaAlAs形状：ROUND
尺寸：2 mm子类别：Laser Diodes
表面贴装：NO最大阈值电流：70 mA
Base Number Matches：1

HL7852G 数据手册

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HL7852G  
GaAlAs Laser Diode  
ODE-208-063A (Z)  
Rev.1  
Dec. 04, 2006  
Description  
The HL7852G is a high-power 0.78 µm band GaAlAs laser diode with a multi-quantum well (MQW) structure. It is  
suitable as a light source for optical disk memories, levelers and various other types of optical equipment. Hermetic  
sealing of the package assures high reliability.  
Features  
Package Type  
• HL7852G: G2  
Internal Circuit  
•
•
•
•
Visible light output: λp = 785 nm Typ  
Small beam ellipticity: 9.5:23  
High output power: 50 mW (CW)  
Built-in monitor photodiode  
1
3
PD  
LD  
2
Absolute Maximum Ratings  
(TC = 25°C)  
Item  
Optical output power  
Pulse optical output power  
LD reverse voltage  
Symbol  
Ratings  
Unit  
mW  
mW  
V
PO  
50  
60 *  
PO(pulse)  
VR(LD)  
VR(PD)  
Topr  
2
PD reverse voltage  
30  
V
Operating temperature  
Storage temperature  
–10 to +60  
–40 to +85  
°C  
Tstg  
°C  
Note: Maximum 50% duty cycle, maximum 1 µs pulse width.  
Optical and Electrical Characteristics  
(TC = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ith  
Min  
—
Typ  
45  
Max  
70  
Unit  
mA  
mW/mA 40 (mW) / (I(45mW) – I(5mW))  
Test Conditions  
Threshold current  
Slope efficiency  
ηs  
0.35  
—
0.55  
135  
2.3  
785  
9.5  
23  
0.7  
165  
2.7  
795  
12  
LD Operating current  
LD Operating voltage  
Lasing wavelength  
Beam divergence (parallel)  
IOP  
VOP  
λp  
θ//  
mA  
V
PO = 50 mW  
—
PO = 50 mW  
775  
8
nm  
°
PO = 50 mW  
PO = 50 mW, FWHM  
PO = 50 mW, FWHM  
Beam divergence  
(perpendicular)  
θ⊥  
18  
28  
°
Monitor current  
Astigmatism  
IS  
25  
—
45  
5
150  
—
µA  
PO = 5 mW, VR(PD) = 5 V  
PO = 5 mW, NA = 0.4  
AS  
µm  
Rev.1 Dec. 04, 2006 page 1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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