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Datasheet > 光电 > 激光二极管> HL7852G

HL7852G PDF预览

HL7852G

更新时间： 2024-02-16 00:04:58

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		半导体光电二极管激光二极管
页数	文件大小	规格书
4页	26K
描述
GaA1As Laser Diode

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HL7852G 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	50 °C	最低工作温度：	-10 °C
光电设备类型：	LASER DIODE	峰值波长：	785 nm
半导体材料：	GaAlAs	子类别：	Laser Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

HL7852G 数据手册

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HL7852G

GaAlAs Laser Diode

Description

The HL7852G is a high power 0.78 µm band GaAlAs laser diode with a multi-quantum well (MQW)

structure. It is suitable as a light source for optical disk memories, levelers and various other types of

optical equipment. Hermetic sealing of the package assures high reliability.

Features

·

·

·

·

Visible light output: l p = 785 nm Typ

Small beam ellipticity: 9.5:23

High output power: 50 mW (CW)

Built-in monitor photodiode

177

12 3 4

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与HL7852G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HL7853MG	HITACHI	Laser Diode, 785nm	获取价格
HL7859MG	HITACHI	Visible High Power Laser Diode	获取价格
HL7-8R2-JB	RCD	General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, 1 Element, AXIAL LEADED	获取价格
HL7-8R2-JBQ	RCD	General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, 1 Element, AXIAL LEADED	获取价格
HL7-8R2-JBW	RCD	General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, 1 Element, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT	获取价格
HL7-8R2-JTQ	RCD	General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, 1 Element, AXIAL LEADED	获取价格

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