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OPA861IDBVRG4

更新时间： 2024-02-03 21:55:57
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
32页 1104K
描述
Wide Bandwidth Operational Transconductance Amplifier 6-SOT-23 -40 to 85

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OPA861IDBVRG4 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：PLASTIC, SOT-23, 6 PIN针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.78
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：6.6 µA
最大输入失调电压：20000 µVJESD-30 代码：R-PDSO-G6
长度：2.9 mm负供电电压上限：-6.5 V
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：+-5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.45 mm
标称压摆率：900 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：7.4 mA供电电压上限：6.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：80000 kHz宽度：1.6 mm
Base Number Matches：1

OPA861IDBVRG4 数据手册

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OPA861  
www.ti.com  
SBOS338G –AUGUST 2005–REVISED MAY 2013  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: VS = ±5V  
RL = 500Ω and RADJ = 250Ω, unless otherwise noted.  
OPA861ID, IDBV  
MIN/MAX OVER TEMPERATURE  
TYP  
0°C to  
70°C(3)  
–40°C to  
+85°C(3)  
MIN/  
MAX  
TEST  
PARAMETER  
CONDITIONS  
+25°C  
+25°C(2)  
UNITS  
LEVEL(1)  
OTA—Open-Loop (see Figure 33)  
AC PERFORMANCE  
G = +5, VO = 200mVPP  
,
Bandwidth  
80  
77  
75  
74  
MHz  
min  
B
RL = 500Ω  
G = +5, VO = 1VPP  
G = +5, VO = 5VPP  
G = +5, VO = 5V Step  
VO = 1V Step  
80  
80  
MHz  
MHz  
V/µs  
ns  
typ  
typ  
min  
typ  
C
C
B
C
Slew Rate  
900  
4.4  
860  
850  
840  
Rise Time and Fall Time  
Harmonic Distortion  
G = +5, VO = 2VPP, 5MHz  
RL = 500Ω  
2nd-Harmonic  
–68  
–57  
2.4  
1.7  
5.2  
–55  
–52  
3.0  
–54  
–51  
3.3  
–53  
–49  
3.4  
dB  
max  
max  
max  
max  
max  
B
B
B
B
B
3rd-Harmonic  
RL = 500Ω  
dB  
Base Input Voltage Noise  
Base Input Current Noise  
Emitter Input Current Noise  
OTA DC PERFORMANCE(4) (see Figure 33)  
f > 100kHz  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
pA/√Hz  
f > 100kHz  
2.4  
2.45  
16.6  
2.5  
f > 100kHz  
15.3  
17.5  
Minimum OTA Transconductance (gm  
)
VO = ±10mV, RC = 50Ω, RE = 0Ω  
VO = ±10mV, RC = 50Ω, RE = 0Ω  
VB = 0V, RC = 0Ω, RE = 100Ω  
VB = 0V, RC = 0Ω, RE = 100Ω  
VB = 0V, RC = 0Ω, RE = 100Ω  
VB = 0V, RC = 0Ω, RE = 100Ω  
VB = 0V, VC = 0V  
95  
95  
±3  
80  
77  
155  
±15  
±67  
±6  
75  
mA/V  
mA/V  
mV  
min  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
max  
A
A
A
B
A
B
A
B
A
B
Maximum OTA Transconductance (gm  
)
150  
±12  
160  
B-Input Offset Voltage  
±20  
Average B-Input Offset Voltage Drift  
B-Input Bias Current  
±120  
±6.6  
±25  
μV/°C  
μA  
±1  
±30  
±5  
±5  
Average B-Input Bias Current Drift  
E-Input Bias Current  
±20  
±125  
±500  
±30  
±250  
nA/°C  
μA  
±100  
±18  
±140  
±600  
±38  
Average E-Input Bias Current Drift  
C-Output Bias Current  
VB = 0V, VC = 0V  
nA/°C  
μA  
VB = 0V, VC = 0V  
Average C-Output Bias Current Drift  
OTA INPUT (see Figure 33)  
B-Input Voltage Range  
VB = 0V, VC = 0V  
±300  
nA/°C  
±4.2  
455 || 2.1  
10.5  
±3.7  
±3.6  
±3.6  
V
kΩ || pF  
Ω
min  
typ  
B
C
B
B
B-Input Impedance  
Min E-Input Resistance  
12.5  
6.7  
13.0  
6.5  
13.3  
6.3  
max  
min  
Max E-Input Resistance  
10.5  
Ω
OTA OUTPUT  
E-Output Voltage Compliance  
E-Output Current, Sinking/Sourcing  
C-Output Voltage Compliance  
C-Output Current, Sinking/Sourcing  
C-Output Impedance  
IE = ±1mA  
VE = 0  
±4.2  
±15  
±3.7  
±10  
±4.0  
±10  
±3.6  
±9  
±3.6  
±9  
V
mA  
min  
min  
min  
min  
typ  
A
A
A
A
C
IC = ±1mA  
VC = 0  
±4.7  
±15  
±3.9  
±9  
±3.9  
±9  
V
mA  
54 || 2  
kΩ || pF  
(1) Test levels: (A) 100% tested at +25°C. Over temperature limits set by characterization and simulation. (B) Limits set by characterization  
and simulation. (C) Typical value only for information.  
(2) Junction temperature = ambient for +25°C specifications.  
(3) Junction temperature = ambient at low temperature limit; junction temperature = ambient + 7°C at high temperature limit for over  
temperature specifications.  
(4) Current is considered positive out of node.  
Copyright © 2005–2013, Texas Instruments Incorporated  
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3
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