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OPA615IDGST

更新时间： 2024-02-23 18:19:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 采样保持电路放大器放大器电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
26页 628K
描述
Wide-Bandwidth, DC Restoration Circuit

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OPA615IDGST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-14针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.35Is Samacsys：N
放大器类型：SAMPLE AND HOLD CIRCUIT最大模拟输入电压：3 V
最小模拟输入电压：-3 VJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：8.65 mm
湿度敏感等级：2负供电电压上限：-6.5 V
标称负供电电压 (Vsup)：-5 V功能数量：1
端子数量：14最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
采样并保持/跟踪并保持：SAMPLE座面最大高度：1.75 mm
子类别：Sample and Hold Circuit供电电压上限：6.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.91 mm
Base Number Matches：1

OPA615IDGST 数据手册

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OPA615  
www.ti.com  
SBOS299B–FEBRUARY 2004–REVISED JULY 2005  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: VS = ±5V  
RL = 100Ω, RQ = 300Ω, and RIN = 50Ω, unless otherwise noted.  
OPA615ID, OPA615IDGS  
TYP  
MIN/MAX OVER TEMPERATURE  
0°C to  
70°C(3)  
–40°C to  
MIN/  
MAX  
TEST  
PARAMETER  
CONDITIONS  
See Figure 36b  
+25°C  
+25°C(2)  
+85°C(3)  
UNITS  
LEVEL(1)  
AC PERFORMANCE (OTA)  
Small Signal Bandwidth (B to E)  
VO = 200mVPP, RL = 500Ω  
VO = 1.4VPP, RL = 500Ω  
VO = 2.8VPP, RL = 500Ω  
VO = 5VPP, RL = 500Ω  
G= +1, VO = 200mVPP, RL = 100Ω  
G= +1, VO = 1.4VPP, RL = 100Ω  
G= +1, VO = 2.8VPP, RL = 100Ω  
G= +1, VO = 5VPP, RL = 100Ω  
VO = 2VPP, RL = 500Ω  
G = +1, VO = 2VPP, RL = 100Ω  
RE = 100Ω  
710  
770  
230  
200  
440  
475  
230  
230  
2
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
ns  
min  
min  
min  
min  
min  
min  
min  
min  
max  
max  
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
Large Signal Bandwidth (B to E)  
Small Signal Bandwdith (B to C)  
Large Signal Bandwidth (B to C)  
Rise-and-Fall Time (B to E)  
Rise-and-Fall Time (B to C)  
Harmonic Distortion (B to E)  
2nd-Harmonic  
2
ns  
VO = 1.4VPP, f = 30MHz  
VO = 1.4VPP, f = 30MHz  
Base Input, f > 100kHz  
Base Input, f > 100kHz  
Emitter Input, f > 100kHz  
See Figure 37b  
–62  
–47  
4.6  
2.5  
21  
–50  
–40  
6.2  
3.1  
23  
–48  
–35  
6.9  
3.6  
25  
–47  
–33  
7.4  
3.9  
27  
dBc  
min  
min  
B
B
B
B
B
3rd-Harmonic  
dBc  
Input Voltage Noise  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
pA/√Hz  
max  
max  
max  
Input Current Noise  
Input Current Noise  
DC PERFORMANCE (OTA)  
Transconductance (V-base to I-collector)  
B-Input Offset Voltage  
B-Input Offset Voltage Drift  
B-Input Bias Current  
VB = ±5mVPP, RC = 0Ω, RE = 0Ω  
VB = 0V, RC = 0V, RE = 100Ω  
VB = 0V, RC = 0V, RE = 100Ω  
VB = 0V, RC = 0V, RE = 100Ω  
VB = 0V, RC = 0V, RE = 100Ω  
VB = 0V, VC = 0V  
72  
65  
63  
58  
mA/V  
mV  
min  
max  
max  
max  
max  
min  
A
A
B
A
B
A
B
A
B
±4  
±40  
±47  
±50  
±160  
±1.5  
±12  
±160  
±1.7  
±12  
µV/°C  
µA  
±0.5  
±35  
±35  
±0.9  
±110  
±100  
B-Input Bias Current Drift  
E-Input Bias Current  
nA/°C  
µA  
±120  
±200  
±110  
±200  
±135  
±250  
±125  
±250  
E-Input Bias Current Drift  
C-Output Bias Current  
C-Output Bias Current  
INPUT (OTA Base)  
VB = 0V, VC = 0V  
nA/°C  
µA  
max  
max  
max  
VB = 0V, VC = 0V  
VB = 0V, VC = 0V  
nA/°C  
See Figure 37b  
Input Voltage Range  
RE = 100Ω  
±3.4  
±3.2  
±3.1  
±3.0  
V
min  
typ  
B
C
Input Impedance  
B-Input  
7 || 1.5  
MΩ || pF  
OTA Power-Supply Rejection Ratio  
(–PSRR)  
±VS to VIO at E-Input  
54  
49  
47  
46  
dB  
min  
A
OUTPUT (OTA Collector)  
Output Voltage Compliance  
Output Current  
See Figure 37b  
IE = 2mA  
±3.5  
±20  
±3.4  
±18  
±3.4  
±17  
±3.4  
±17  
V
min  
min  
typ  
A
A
C
VC = 0V  
mA  
Output Impedance  
VC = 0V  
1.2 || 2  
MΩ || pF  
COMPARATOR PERFORMANCE  
AC Performance  
Output Current Bandwidth  
Output Current Rise and Fall Time  
Control Propagation Delay Time  
Signal Propagation Delay Time  
Input Differential Voltage Noise  
Charge Injection  
IO < 4mAPP  
730  
1.4  
2.5  
1.9  
6
520  
1.5  
480  
1.7  
400  
2
MHz  
ns  
min  
max  
typ  
B
B
C
C
B
C
C
IIO = ±2mAPP, RL = 50Ω at CHOLD  
Hold ≥ Track and Track ≥ Hold  
S/H In+ – S/H In– to CHOLD Current  
S/H In+ – S/H In–  
ns  
ns  
typ  
7.5  
8
9
nV/√Hz  
fC  
max  
typ  
Track-to-Hold  
40  
Feedthrough Rejection  
Hold Mode, VIN = 1VPP, f < 20MHz  
100  
dB  
typ  
(1) Test levels: (A) 100% tested at +25°C. Over temperature limits set by characterization and simulation. (B) Limits set by characterization  
and simulation. (C) Typical value only for information.  
(2) Junction temperature = ambient for +25°C tested specifications.  
(3) Junction temperature = ambient at low temperature limit; junction temperature = ambient +23°C at high temperature limit for over  
temperature specifications.  
4
1234567...26

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