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OP193EP

更新时间： 2024-01-21 19:46:42
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 268K
描述
Precision, Micropower Operational Amplifiers

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OP193EP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIE包装说明：DIE
针数：7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.87放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
JESD-30 代码：R-XUUC-N7JESD-609代码：e0
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：1
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：220
认证状态：Not Qualified子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：0.03 mA标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：30

OP193EP 数据手册

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OP193/OP293/OP493–SPECIFICATIONS  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS(@ V = ؎15.0 V, T = +25؇C unless otherwise noted)  
S
A
“ E” Grade  
“ F” Grade  
Min Typ Max  
P aram eter  
Sym bol  
Conditions  
Min  
Typ Max  
Units  
INPUT CHARACT ERIST ICS  
Offset Voltage  
VOS  
OP193  
75  
150  
250  
250  
350  
275  
375  
µV  
µV  
µV  
µV  
µV  
µV  
OP193, –40°C ≤ T A ≤ +125°C  
OP293  
OP293, –40°C ≤ T A ≤ +125°C  
OP493  
OP493, –40°C ≤ T A ≤ +125°C  
VCM = 0 V,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
VCM = 0 V,  
175  
100  
200  
125  
225  
Input Bias Current  
Input Offset Current  
IB  
15  
20  
nA  
IOS  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
2
4
nA  
V
dB  
Input Voltage Range  
VCM  
–14.9  
100  
+13.5 –14.9  
97  
+13.5  
Common-Mode Rejection  
CMRR  
–14.9 ≤ VCM ≤ +14 V  
–14.9 ≤ VCM ≤ +14 V,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
RL = 100 kΩ,  
116  
116  
97  
94  
dB  
Large Signal Voltage Gain  
Large Signal Voltage Gain  
Large Signal Voltage Gain  
AVO  
AVO  
AVO  
–10 V ≤ VOUT ≤ +10 V  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
RL = 10 kΩ,  
–10 V ≤ VOUT ≤ +10 V  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
RL = 2 kΩ,  
–10 V ≤ VOUT ≤ +10 V  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
Note 1  
500  
300  
500  
300  
V/mV  
V/mV  
V/mV  
300  
150  
300  
150  
100  
350  
200  
350  
200  
V/mV  
V/mV  
V/mV  
200  
125  
200  
125  
V/mV  
V/mV  
V/mV  
µV  
100  
0.2  
Long T erm Offset Voltage  
Offset Voltage Drift  
VOS  
∆VOS/∆T  
150  
1.75  
300  
Note 2  
µV/°C  
OUT PUT CHARACT ERIST ICS  
Output Voltage Swing High  
VOH  
IL = 1 mA  
+14.1 14.2  
+14.1 14.2  
V
IL = 1 mA,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
IL = 5 mA  
IL = –1 mA  
+14.0  
+13.9 14.1  
+14.0  
+13.9 14.1  
V
V
V
Output Voltage Swing Low  
VOL  
–14.7 –14.6  
-14.7 –14.6  
IL = –1 mA,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
IL = –5 mA  
–14.4  
14.2 –14.1  
±25  
–14.4  
14.2 –14.1  
±25  
V
V
mA  
Short Circuit Current  
ISC  
POWER SUPPLY  
Power Supply Rejection Ratio  
PSRR  
VS = ±1.5 V to ±18 V  
VS = ±1.5 V to ±18 V,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
–40°C ≤ TA ≤ +125°C, RL = ∞  
VOUT = 0 V, VS = ±18 V  
100  
97  
120  
97  
94  
120  
dB  
dB  
µA  
Supply Current/Amplifier  
ISY  
30  
30  
NOISE PERFORMANCE  
Voltage Noise Density  
Current Noise Density  
Voltage Noise  
en  
in  
en p-p  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
0.1 Hz to 10 Hz  
65  
0.05  
3
65  
0.05  
3
nV/√Hz  
pA/√Hz  
µV p-p  
DYNAMIC PERFORMANCE  
Slew Rate  
Gain Bandwidth Product  
Channel Separation  
SR  
GBP  
RL = 2 kΩ  
15  
35  
15  
35  
V/ms  
kHz  
VOUT = 10 V p-p,  
RL = 2 kΩ, f = 1 kHz  
120  
120  
dB  
NOT ES  
1Long term offset voltage is guaranteed by a 1000 hour life test performed on three independent lots at +125 °C, with an LT PD of 1.3.  
2Offset voltage drift is the average of the –40°C to +25°C delta and the +25°C to +125°C delta.  
Specifications subject to change without notice.  
–2–  
REV. A  
1234567...16

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