是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.68 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.2 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XDSO-C8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.7 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NTHS5404T1G | ONSEMI | Power MOSFET |
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NTHS5441 | ONSEMI | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
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NTHS5441T1 | ONSEMI | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
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NTHS5441T1/D | ETC | Power MOSFET P-Channel ChipFET |
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NTHS5441T1G | ONSEMI | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
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NTHS5443 | ONSEMI | Power MOSFET |
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