NTE70

更新时间： 2024-09-29 22:19:55

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NTE		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Power Amp, Switch

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NTE70 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.71
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-63
JESD-30 代码：	O-MUPM-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	250 W
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

NTE70 数据手册

NTE70

Silicon NPN Transistor

High Voltage Power Amp, Switch

Description:

The NTE70 is a silicon NPN transistor in a TO63 type case utilizing C2R processing which describes

a manufacturing technology that provides surface stabilization for high voltage operation and en-

hances long term reliability.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250W

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter Cutoff Current

I = 50mA

150

–

(BR)CEO

= 6V

100 µA

10 µA

1.0 mA

EBO

Collector Cutoff Current

= Rated V , V = 1.5V

–

CEX

CB EB

= Rated V , V = 1.5V, T = +150°C

–

CB EB

ON Characteristics (Note 1)

DC Current Gain

= 4V, I = 20A

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

I = 50A, I = 10A

3.0

1.8

3.5

CE(sat)

I = 20A, I = 2A

–

BE(sat)

I = 50A, I = 10A

–

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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