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NT56V6620C0T-75

更新时间: 2024-01-30 21:12:56
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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66页 1687K
描述
x16 SDRAM

NT56V6620C0T-75 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SSOP
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.27
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.145 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mm

NT56V6620C0T-75 数据手册

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NT56V6610C0T NT56V6620C0T  
64Mb : x8 x16  
PC133 / PC100 Synchronous DRAM  
NT56V6610C0T (8Mx8)  
NT56V6620C0T (4Mx16)  
64Mb Synchronous DRAM  
Data Sheet  
REV 1.1 June, 2000  
1
©NANYA TECHNOLOGY CORP.  
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.  

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