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NT3881DF/A-02 PDF预览

NT3881DF/A-02

更新时间： 2024-01-28 15:26:10
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 驱动
页数 文件大小 规格书
25页 241K
描述
LCD DISPLAY DRIVER|40-SEG|16-BP|CMOS|QFP|80PIN|PLASTIC

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NT3881DF/A-02 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：QFP, QFP80,.75X1,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
显示模式：SEGMENTJESD-30 代码：R-PQFP-G80
底板数：16-BP区段数：40
端子数量：80最高工作温度：60 °C
最低工作温度：-10 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QFP封装等效代码：QFP80,.75X1,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
电源：5 V认证状态：Not Qualified
子类别：Other Interface ICs最大压摆率：0.5 mA
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：QUADBase Number Matches：1

NT3881DF/A-02 数据手册

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NT3881D  
Absolute Maximum Ratings*  
*Comments  
Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to this device.  
These are stress ratings only. Functional operation of  
this device at these or any other conditions above those  
indicated in the operational sections of this specification  
is not implied or intended. Exposure to the absolute  
maximum rating conditions for extended periods may  
affect device reliability.  
DD  
Power Supply Voltage (V ) . . . . . . . . . . -0.3V to +0.7V  
1
5
DD  
DD  
Power Supply Voltage(V to V ) . V -13.5V to V +0.3V  
DD  
Input Voltage (VI) . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V +0.3V  
OPR  
Operating Temperature (T ) . . . . . . . . -10°C to +60°C  
STG  
Storage Temperature (T ) . . . . . . . . -55°C to +125°C  
All voltage values are referenced to GND = 0V  
1
5
DD  
1
2
3
4
5
V to V , must maintain V ≥ V ≥ V ≥ V ≥ V ≥ V .  
DD  
EE  
A
DC Electrical Characteristics (V = 5.0V, GND = V = 0V, T = 25°C)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
2.2  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
Applicable Pin  
"H" Level Input Voltage (1)  
"L" Level Input Voltage (1)  
"H" Level Input Voltage (2)  
"L" Level Input Voltage (2)  
"H" Level Output Voltage (1)  
"L" Level Output Voltage (1)  
"H" Level Output Voltage (2)  
"L" Level Output Voltage (2)  
Driver Voltage Descending (COM)  
Driver Voltage Descending (SEG)  
Input Leakage Current  
-
IH1  
V
DD  
V
DB0 - DB7, RS,  
R/W, E  
-0.3  
-
0.8  
V
IL1  
V
-
V
IH2  
V
DD  
DD  
V
V
-1.0  
OSC1  
GND  
2.4  
-
-
1.0  
-
V
IL2  
V
-
V
OH1  
V
OH  
I
I
I
I
= -0.25mA  
= 1.2mA  
DB0 - DB7  
(TTL)  
-
0.4  
-
V
OL1  
V
OL  
OH  
OL  
D
-
V
OH2  
V
DD  
0.9 V  
= -0.04mA  
= 0.04mA  
CL1, CL2, M, D  
(CMOS)  
-
-
V
OL2  
V
DD  
0.1 V  
-
-
-
2.9  
V
COM1 - 16  
SEG1 - 40  
COM  
V
I = 0.05mA  
-
-
3.8  
1
V
SEG  
V
D
I = 0.05mA  
-1  
50  
µA  
µA  
IL  
IN  
DD  
I
V
V
= 0 to V  
= 5V  
Pull-up MOS Current  
125  
250  
RS, R/W,  
DB0-DB7  
P
DD  
-I  
Supply Current Power Supply  
Current  
-
0.3  
0.5  
mA Rf oscillation,  
from external  
OP  
DD  
V
I
DD  
clock V = 5V,  
OSC  
CP  
f
= f  
=
270KHz  
7
1...45678910...25

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