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NSI6801TB-DDBR

更新时间: 2024-04-09 18:58:24
品牌 Logo 应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
34页 1210K
描述
NSI6801是单通道兼容光耦输入的隔离式栅极驱动器,可应用于驱动IGBT、SiC 和 MOSFET。它可以提供5A的峰值拉/灌电流。支持150kV/μs的最小共模瞬态免疫(CMTI),确保了系统

NSI6801TB-DDBR 数据手册

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NSI6801  
Datasheet (EN) 1.4  
2. Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
Symbol  
IF_AVG  
IF_PEAK  
VR_MAX  
VCC-VEE  
VOUT  
Min  
Max  
25  
Unit  
mA  
A
Average Input Current  
Peak Transient Input Current  
Reverse Input Voltage  
Driver Side Supply Voltage  
Output Signal Voltage  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
0.2  
6.5  
V
-0.3  
VEE-0.3  
-40  
35  
V
VCC+0.3  
150  
V
TJ  
°C  
°C  
Tstg  
-65  
150  
3. ESD Ratings  
Ratings  
Human body model (HBM), per AEC-Q100-002-RevD  
All pins  
Charged device model (CDM), per AEC-Q100-011-RevB  
All pins  
Value  
2000  
1000  
Unit  
V
V
Electrostatic discharge  
4. Recommended Operating Conditions  
Parameters  
Symbol  
Min  
7
Max  
16  
Unit  
mA  
V
Input Current (ON)  
IF(ON)  
Input Voltage (OFF)  
VF(off)  
-5.5  
14  
0.9  
32  
Driver Side Supply Voltage (NSI6801C)  
Driver Side Supply Voltage (NSI6801B)  
Ambient Temperature  
VCC-VEE  
VCC-VEE  
TA  
V
10  
32  
V
-40  
125  
°C  
5. Thermal Information  
NSI6801  
Parameters  
Symbol  
Unit  
SOW6  
DUB8  
SOP8  
Junction–to-ambient thermal  
resistance  
RθJA  
ΨJT  
125  
110  
110  
°C/W  
Junction–to-top characterization  
parameter  
30  
30  
18  
°C/W  
Copyright © 2023, NOVOSENSE  
Page 4  
 
 
 

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