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NSI1200

更新时间: 2024-04-09 18:59:12
品牌 Logo 应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE 隔离技术
页数 文件大小 规格书
20页 1333K
描述
NSI1200是输出与输出基于NOVOSENSE电容隔离技术的隔离电流采样运放。此系列产品具有线性差分输入信号±250mV范围(满量程±320mV)。故障安全功能包括输入共模过压检测和VDD1缺失

NSI1200 数据手册

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NSi1200  
Datasheet (EN) 1.3  
Parameters  
Symbol  
Min  
Typ  
72  
Max  
Unit  
dB  
V
Comments  
V
IN = 0.5V, fIN = 10kHz, BW = 100kHz  
Common-mode output voltage  
VCMout  
1.36  
1.4  
1.46  
-2.44  
Failsafe differential output  
voltage  
VFAILSAFE  
-2.53  
V
VCM>VCMov, or VDD1 missing  
PSRR vs VDD1, at DC  
Output bandwidth  
BW  
60  
100  
kHz  
dB  
PSRRdc  
-104  
PSRR vs VDD1, 100mV and 10kHz  
ripple  
PSRRac  
PSRRdc  
PSRRac  
ROUT  
-102  
-90  
dB  
dB  
Power supply rejection ratio (1)  
PSRR vs VDD2, at DC  
PSRR vs VDD2, 100mV and 10kHz  
ripple  
-85  
dB  
Output resistance  
< 0.2  
150  
Ω
Common-mode transient  
immunity  
Common-mode transient  
immunity  
CMTI  
100  
kV/μs  
Timing  
Rising time of OUTP, OUTN  
Falling time of OUTP, OUTN  
tr  
tf  
3.6  
3.6  
μs  
μs  
INP, INN to OUTP, OUTN signal  
delay (50% - 50%)  
tPD  
3.5  
0.5  
4
μs  
VDD1 step to 3.0 V with VDD2 ≥ 3.0  
V, to OUTP, OUTN valid, 0.1%  
settling  
Analog setting time  
tAS  
ms  
(1) Input referred.  
5.2. Typical Performance Characteristics  
Unless otherwise noted, test at VDD1 = 5V, VDD2 = 3.3V, Vin = -250mV to 250mV.  
Figure 5.1 Common-Mode Overvoltage Detection Level vs Temperature  
Copyright © 2023, NOVOSENSE  
Figure 5.2 Input Offset Voltage vs Temperature (NSI1200)  
Page 6  
 

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