5秒后页面跳转
NS41024L17E/883 PDF预览

NS41024L17E/883

更新时间: 2024-01-14 12:18:58
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 142K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 17ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

NS41024L17E/883 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:17 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CQCC-N32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.175 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

NS41024L17E/883 数据手册

 浏览型号NS41024L17E/883的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NS41024L17E/883的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NS41024L17E/883的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NS41024L17E/883的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NS41024L17E/883的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NS41024L17E/883的Datasheet PDF文件第7页 

与NS41024L17E/883相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NS41024L20E-SMD NSC NS41024L20E-SMD

获取价格

NS41024L20E-SMD TI NS41024L20E-SMD

获取价格

NS41024L25E-SMD NSC NS41024L25E-SMD

获取价格

NS41024L35E-SMD TI NS41024L35E-SMD

获取价格

NS41024L35E-SMD NSC NS41024L35E-SMD

获取价格

NS41024L45E-SMD NSC NS41024L45E-SMD

获取价格