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NRVB1060MFST1G

更新时间： 2024-02-12 23:47:14
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安森美 - ONSEMI 功效瞄准线光电二极管
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4页 123K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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NRVB1060MFST1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SO-8FL, DFN5, 6 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.76 VJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：5
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

NRVB1060MFST1G 数据手册

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MBR1060MFS,  
NRVB1060MFS  
SWITCHMODE  
Power Rectifiers  
Features  
• Low Power Loss / High Efficiency  
http://onsemi.com  
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After  
Board Mounting  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIERS  
• Guardring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage Drop  
• 175°C Operating Junction Temperature  
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
• Wettable Flanks Option Available  
10 AMPERES  
60 VOLTS  
5,6  
1,2,3  
• These are Pb−Free Devices  
Mechanical Characteristics:  
• Case: Epoxy, Molded  
MARKING  
DIAGRAM  
A
C
C
• Epoxy Meets Flammability Rating UL 94−0 @ 0.125 in.  
• Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)  
1
B1060  
AYWZZ  
A
A
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 2  
• Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:  
Not Used  
260°C Max. for 10 Seconds  
• Device Meets MSL 1 Requirements  
B1060  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from  
Junction−to−Ambient: d /d < 1/R  
q
PD TJ  
JA  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
V
RRM  
RWM  
ORDERING INFORMATION  
60  
10  
R
Device  
Package  
Shipping†  
1500 /  
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
F(AV)  
(Rated V , T = 165°C)  
R
C
MBR1060MFST1G  
SO−8 FL  
(Pb−Free) Tape & Reel  
Peak Repetitive Forward Current,  
(Rated V , Square Wave,  
I
10  
FRM  
R
MBR1060MFST3G  
NRVB1060MFST1G  
SO−8 FL 5000 /  
20 kHz, T = 162°C)  
C
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 1500 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
SO−8 FL 5000 /  
(Pb−Free) Tape & Reel  
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
150  
A
FSM  
NRVB1060MFST3G  
Storage Temperature Range  
T
−65 to +175  
−55 to +175  
150  
°C  
°C  
mJ  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Unclamped Inductive Switching  
Energy (10 mH Inductor,  
Non−repetitive)  
E
AS  
ESD Rating (Human Body Model)  
ESD Rating (Machine Model)  
3B  
M4  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
December, 2013 − Rev. 0  
MBR1060MFS/D  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NRVB1060MFST3G ONSEMI

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
NRVB120ESFT1G ONSEMI

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NRVB120ESFT3G ONSEMI

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