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NNCD12B-AZ

更新时间: 2024-02-10 16:21:00
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瑞萨 - RENESAS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 43K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-35

NNCD12B-AZ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-XALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6最大击穿电压:12.3 V
最小击穿电压:11.13 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:100 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

NNCD12B-AZ 数据手册

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