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NNCD12B-AZ

更新时间： 2024-01-13 15:07:12

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
8页	43K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-35

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NNCD12B-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-XALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.6	最大击穿电压：	12.3 V
最小击穿电压：	11.13 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	100 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NNCD12B-AZ 数据手册

NNCD3.3B to NNCD12B

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

Fig. 1 POWER DISSIPATION vs.

AMBIENT TEMPERATURE

Fig. 2 THERMAL RESISTANCE vs.

SIZE OF P.C BOARD

600

500

400

300

200

100

600

Junction to

anbient

500

= 5 mm

= 10 mm

400

300

200

100

10 mm

P.C Board

7 mm

t = 0.035 mm

= 10 mm

= 5 mm

P.C Board

3 mm

t = 0.035 mm

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

- Ambient Temperature - °C

100

S - Size of P.C Board - mm²

Fig. 3 IT - VBR CHARACTERISTICS

Fig. 4 IT - VBR CHARACTERISTICS

TA = 25 °C

TYP.

NNCD5.6B

NNCD5.1B

NNCD6.8B

TA = 25 °C

TYP.

NNCD6.2B

NNCD7.5B

NNCD8.2B

100 m

10 m

1 m

100 m

10 m

1 m

NNCD11B

NNCD12B

NNCD10B

NNCD3.3B

NNCD9.1B

NNCD3.6B

NNCD3.9B

NNCD4.3B

NNCD4.7B

100

100 n

10 n

1 n

100 n

10 n

1 n

10 11 12 13 14 15

V^BR- Breakdown Voltage - V

1 234 5 6 7 8

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与NNCD12B-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NNCD12C	NEC	获取价格	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 150 mW TYPE
NNCD12C-A	NEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 85W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ULTRA SUPER MINIM
NNCD12C-T1	NEC	获取价格	85W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
NNCD12C-T2	RENESAS	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ULTRA SUPER MINIMOLD P
NNCD12C-T2	NEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 1 Element, Silicon, ULTRA SUPER MINIMOLD P
NNCD12C-T2-A	RENESAS	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,UNIDIRECTIONAL,UMD2VAR
NNCD12C-T2-AT	RENESAS	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,SINGLE,UNIDIRECTIONAL,UMD2VAR
NNCD12D	NEC	获取价格	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES 200 mW TYPE
NNCD12DA	RENESAS	获取价格	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODE 2-PIN SUPER MINI MOLD
NNCD12D-A	RENESAS	获取价格	NNCD12D-A