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NM93C66VMT8

更新时间： 2024-01-23 05:00:44

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德州仪器 - TI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	213K
描述
256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8

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NM93C66VMT8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	40
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	4.4 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	串行总线类型：	MICROWIRE
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.001 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM93C66VMT8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM93C66VN	TI	获取价格	256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
NM93C86A	FAIRCHILD	获取价格	16K-Bit Serial CMOS EEPROM (MICROWIRE⑩ Synchr
NM93C86ACLM8	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
NM93C86ACLM8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
NM93C86AEM8	ETC	获取价格	Microwire Serial EEPROM
NM93C86AEM8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
NM93C86AEN	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
NM93C86ALEM8	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
NM93C86ALEMT8	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8