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NJG1302V

更新时间： 2024-02-05 22:46:29

品牌	Logo	应用领域
NJRC		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
8页	454K
描述
MEDIUM POWER AMPLIFIER GaAs MMIC

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技术参数
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NJG1302V 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP14,.25
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	29 dB
最大输入功率 (CW)：	3 dBm	JESD-609代码：	e6
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	14	最大工作频率：	1920 MHz
最小工作频率：	1890 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP14,.25	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	205 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大电压驻波比：	2.2	Base Number Matches：	1

NJG1302V 数据手册

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NJG1302V

nABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_a=+25^oC, Z_s=Z_l=50W)

PARAMETER

Drain Voltage

Gate Voltage

SYMBOL

V_DD1,V_DD2V_GG1,V_GG2=-0.9V

V_GG1,V_GG2V_DD1,V_DD2=-3.0V

CONDITIONS

RATINGS

UNITS

V

6

-4

-4

V

Gain Control Voltage

Input Power

V_CONT

P_in

V_DD1,V_DD2=-3.0V

V_DD1,V_DD2=-3.0V, V_GG1,V_GG2=-0.9V

At on PCB board

V

3

dBm

mW

°C

Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

P_D

600

-30 ~ +85

-40 ~ +150

T_opr

T_stg

°C

nELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T_a=+25^oC, Z_s=Z_l=50W)

MIN TYP MAX UNITS

PARAMETER

Operating Frequency

Drain Voltage

Gate Voltage

Idle Current *1

SYMBOL

CONDITONS

V_DD1,2=3.0V

freq

V_DD1,2

V_GG1,2

I_idle

1.89

2.9

-

1.92

5.0

GHz

V

3.0

V_DD1,2=3.0V, I_idle=180mA

V_DD1,2=3.0V, No RF Signal

V_DD1,2=3.0V, P_out=21dBm

V_DD1,2=3.0V, P_out=21dBm

V_DD1,2=3.0V, P_out=21dBm

-2.0<V_CONT<0.0V

-1.25 -0.9 -0.6

175 180 185

180 195 205

V

mA

mA

uA

Operating Current *1

Gate Current *2

Gain Control Terminal

Current

I_DD

I_GG

-150 -70

-

I_CONT

-5

-2

-

uA

Gain Control Voltage

Small Signal Gain

Gain Flatness

V_CONT

Gain

G_flat

-2.0

29

0

-

0

35

1.0

V

dB

dB

V_DD1,2=3.0V, I_idle=180mA

V_DD1,2=3.0V, I_idle=180mA

V_CONT=-2~0V, V_DD1,2=3.0V

I_idle=180mA

32

0.5

Gain Control Range

G_CONT

P_-1dB

18

22

20

23

23

-

dB

Pout at 1dB

Compression point

V_DD1,2=3.0V

dBm

V_DD1,2=3.0V, P_out=21dBm

offset=600kHz,

P_in;p/4 DQPSK

V_DD1,2=3.0V, P_out=21dBm

offset=900kHz,

P_in; p/4 DQPSK

Adjacent Channel

Leakage Power 1

P_acp1

P_acp2

-

-

-60

-65

-55

-60

dBc

Adjacent Channel

Leakage Power 2

dBc

dBc

Harmonics

Input VSWR

P_SP

VSWR_i

V_DD1,2=3.0V, P_out=21dBm

V_DD1,2=3.0V

-

-

-35

-

-30

2.2

Parasitic Oscillation for

Fundamental Signal Level

V_DD1,2=3.0V, P_out=21dBm

Load VSWR=4:1,All Phase

Load VSWR Tolerance

-

:<-60dBc

=

*1:V_DD1Terminal V_DD2Terminal Total Current

*2:V_GG1Terminal V_GG2Terminal Total Current

- 2 -

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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