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NCV887721D1R2G

更新时间： 2024-01-26 09:13:53
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 125K
描述
Switching Controller

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NCV887721D1R2G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.73模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING CONTROLLER
控制模式：CURRENT-MODE控制技术：PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压：40 V最小输入电压：2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
功能数量：1端子数量：8
标称输出电压：10.28 V封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：1.75 mm表面贴装：YES
切换器配置：BOOST最大切换频率：501 kHz
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

NCV887721D1R2G 数据手册

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NCV8877  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (−40°C < T < 150°C, 3.6 V < V  
< 40 V, unless otherwise specified) Min/Max values are  
J
OUT  
guaranteed by test, design or statistical correlation.  
Characteristic  
GENERAL  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Quiescent Current, Sleep Mode  
Quiescent Current, No switching  
I
V
= 13.2 V, T = 25°C, DISB = 0 V  
−
−
12  
14  
mA  
q,sleep  
OUT  
J
I
Into V  
pin, VOUT,reg < V <  
OUT  
2.2  
4.0  
mA  
q,off  
OUT  
VOUT,des, No switching  
OSCILLATOR  
Switching Frequency  
F
153  
−
−
501  
−
kHz  
V
SW  
R
Voltage  
V
ROSC  
1.0  
170  
OSC  
Switching Frequency  
Default Switching  
F
F
ROSC = Open  
153  
187  
187  
kHz  
kHz  
SW  
ROSC = Open  
ROSC = 100 kW  
ROSC = 20 kW  
ROSC = 10 kW  
153  
180  
283  
409  
170  
200  
315  
455  
SW  
220  
347  
501  
Minimum Pulse Width  
t
NCV887700  
NCV887701  
NCV887711  
NCV887720  
NCV887721  
NCV887740  
90  
90  
89  
90  
90  
90  
115  
115  
115  
115  
115  
115  
145  
145  
146  
145  
145  
145  
ns  
on,min  
Maximum Duty Cycle  
D
ROSC = OPEN  
81  
83  
85  
%
max  
Slope Compensating Ramp  
(Note 2)  
S
a
NCV887700  
NCV887701  
NCV887711  
NCV887720  
NCV887721  
NCV887740  
30  
46  
45  
46  
46  
46  
34  
53  
53  
53  
53  
53  
38  
60  
61  
60  
60  
60  
mV/ ms  
DISABLE  
DISB Pull−down Current (Note 2)  
DISB Input High Voltage  
DISB Input High Voltage Hysteresis  
DISB Input Low Voltage  
CURRENT SENSE AMPLIFIER  
Low−Frequency Gain  
I
V
= 5 V  
−
2.0  
−
0.6  
−
1.0  
5.0  
−
mA  
V
DIS  
DIS  
V
d,ih  
V
d,hys  
500  
−
mV  
mV  
V
0
800  
d,il  
A
Input−to−output gain at dc, ISNS ≤ 1 V  
Gain of A − 3 dB  
0.9  
2.5  
−
1.0  
−
1.1  
−
V/V  
MHz  
mA  
csa  
Bandwidth  
BW  
csa  
sns,bias  
csa  
ISNS Input Bias Current  
Current Limit Threshold Voltage  
I
Out of ISNS pin  
30  
50  
V
Voltage on ISNS pin  
NCV887700  
NCV887701  
NCV887711  
NCV887720  
NCV887721  
NCV887740  
360  
180  
180  
180  
180  
180  
400  
200  
200  
200  
200  
200  
440  
220  
220  
220  
220  
220  
mV  
cl  
Current Limit, Response Time (Note  
2)  
t
CL tripped until GDRV falling edge,  
= V (typ) + 60 mV  
−
125  
−
80  
150  
80  
125  
175  
125  
ns  
%
cl  
V
ISNS  
cl  
Overcurrent Protection,  
Threshold Voltage  
%V  
Percent of V  
cl  
ocp  
Overcurrent Protection,  
Response Time (Note 2)  
t
From overcurrent event, Until switching  
stops, V = V + 40 mV  
ns  
ocp  
ISNS  
OCP  
VOLTAGE ERROR OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER  
Transconductance 100 mV  
g
m,vea  
V
OUT  
=
0.8  
1.2  
1.63  
mS  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
2. Not tested in production. Limits are guaranteed by design.  
www.onsemi.com  
4
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